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全球首款!SK 海力士成功研发 96 层 4D NAND,年内量产

2020-06-18 17:13| 发布者: J生活妝| 查看: 392| 评论: 251

全球首款!SK 海力士成功研发 96 层 4D NAND,年内量产

韩联社、东亚日报日文版报导,南韩半导体大厂 SK 海力士(SK Hynix Inc.)于 4 日宣布,已成功研发出较现行 3D 架构 NAND 型快闪记忆体(Flash Memory)进一步进化的「4D NAND Flash」产品。SK 海力士表示,现行大多数厂商都在 3D NAND 上採用 CTF(Charge Trap Flash,电荷储存式快闪记忆体),而 SK 海力士则是在 CTF 架构上追加「PUC(Peri Under Cell)」技术,研发出全球首款堆叠 96 层的 512Gb 3bit/cell(Triple Level Cel,TLC)4D NAND Flash 产品。

SK 海力士指出,和现行 72 层 512Gb 3D NAND Flash 相比,4D NAND Flash 的晶片尺寸缩小 3 成,每片晶圆的生产性增至 1.5 倍,读速、写速分别提升 30%、25%。

SK 海力士干部表示,「将在今年内量产 4D NAND Flash,且计划利用最近完工的清州工厂 M15 产线进行正式量产」。

SK 海力士计划在今年内发表採用 4D NAND Flash、容量为 1TB 的消费性固态硬碟(SSD)产品。

截至台北时间 5 日上午 10 点 00 分为止,SK 海力士大跌 3.03% 至 70,400 韩圜;SK 海力士上週五(2 日)股价飙涨 6.30%,收 72,600 韩圜,创约一个月来(10 月 1 日以来)新高水準。

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